在阅历了前两年的芯片缺少之后，半导体商场进入了长时刻的下行周期。

其间，存储商场无疑是最惨的。曩昔几个季度，存储商场阅历了曩昔15年来最严峻的低迷。自2021年第三季度以来，DRAM和NAND芯片价格别离下降了57%和55%。

与之相对应的，存储芯片厂商无一不在饱经沧桑，存储芯片巨子的季度营收根本跌去了一半。2022年半导体出售额ToP5企业中，有三星电子、SK海力士、美光3家存储芯片厂商。但是，从Omdia近来宣布的数据来看，2023年第1季度ToP10榜单中仅剩余三星一家存储厂商。而上一次SK海力士和美光未能跻身前十仍是在2008年。

种种痕迹都反应出存储商场正在阅历“隆冬”。为了操控商场动摇、下降库存揉捏，SK海力士、三星电子、美光科技等存储芯片大厂纷繁释出降价、减产战略。

虽然当时存储商场遭受重创，但长时刻来看依旧潜力巨大。依据Yole数据估量，2025年存储芯片收入将添加至逾越2000亿美元的新纪录高位。

面对商场周期的动摇，虽然存储芯片大厂在减缩本钱开支，下降产能，但环绕技能立异和产品布局的脚步从未停步。尤其是韩国存储双雄三星电子和SK海力士，两边的比赛态势已日趋白热化。

力求DRAM、NAND根本盘

从存储芯片类别看，DRAM约占存储器商场53%，NAND Flash约占45%，二者比例算计达98%，为存储器商场的两大标杆产品，也是三星电子和SK海力士打开比赛的“根本盘”。

DRAM：发力先进制程

面对DRAM商场的惨淡，职业厂商正在持续研制推出1α、1β、1γ或更先进制程的DRAM产品，尝试以技能立异在窘境中站稳脚跟。

不难理解，对DRAM芯片而言，先进制程意味着高能效与高容量，以及更好的终端运用体会。

从存储巨子的工艺制程开展进程来看，在2016-2017年进入1X(16nm-19nm)阶段，2018-2019年为1Y(14nm-16nm)，2020年处于1Z(12nm-14nm)年代，现在持续向10nm迫临，最新的1α节点仍处于10 nm阶段。后续，职业厂商持续朝着1β、1γ或更先进技能阶段持续跨进。

2022年10月，三星发布的技能道路图闪现，估量2023年三星将进入1βnm工艺阶段，即第五代10nm等级DRAM产品（还有音讯称，三星将考虑越过1β DRAM，直接研制1γ DRAM）；同年12月，三星开宣告*选用12nm级工艺技能打造的16Gb DDR5 DRAM，与上一代产品比较，最新的12nm级DDR5 DRAM功耗下降了23%，晶圆出产率进步了20%。本年5月该产品已开端量产。

据了解，结合先进的多层EUV光刻技能，这款产品具有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圆出产率进步20%，功耗有望节约约23%，最高支撑7.2Gbps的运转速度。为了抢占逐步扩展的DDR5商场，三星方案从2023年开端批量出产，并向数据中心和人工智能等范畴客户供货。

而SK海力士要点发力存储产品的运转速度。本年5月，SK 海力士宣告现已完结了1β 制程技能（第五代10nm 等级） 研制，并将其技能出产的DDR5 服务器DRAM 进行英特尔数据中心存储器认证程序。

据介绍，SK海力士这次供给的DDR5 DRAM产品运转速度为6.4Gbps，也是同类产品里速率最高的，与初期的测验品项比较，数据处理速度进步了33%。并且，其选用了HKMG （High-K Metal Gate）制程技能，相较第四代10nm等级的1α制程技能的产品，功耗下降了20%。

SK海力士期望2023年开端量产*进的1β制程技能产品，以业界最高DRAM比赛力水准改进2023 年下半年的成绩。此外，SK海力士还方案1β制程技能延伸到LPDDR5T、HBM3E 等产品上。

三星、SK海力士等DRAM厂商争相爆出有关第五代1β DRAM的最新研制开展，新一代产品在数据处理速度、功耗、耗电量等方面都有了明显进步，在移动设备、智能车辆、数据中心以及人工智能等范畴的运用将愈加广泛。

与此一起，存储厂商又开端了对下一代工艺节点1γ DRAM的研制。

业界以为1γ工艺是DRAM接下来的比赛要害。赛迪参谋集成电路高档剖析师杨俊刚表明，1β DRAM产品首要受存储商场萎靡影响，商场空间相对有限。估量存储商场在2023年底或2024年上半年开端反弹，依照DRAM商场技能迭代速度，商场复苏刚好迎来1γ DRAM产品推出时刻，所以1γ DRAM产品成为商场复苏后各家比赛要害。

三星近期放出的音讯也旁边面应证了这一观念。三星为了扩展与比赛对手的技能距离，现已要求其研讨人员中止或越过1β DRAM的开发，新的方针是在本年6月前完结11纳米的第六代1γ DRAM的开发。

3D DRAM 是一种选用全新结构的存储芯片。简略来说，现有DRAM产品开发的要点是经过晶体管微缩来进步密度，但跟着线宽进入10nm 规划，业界开端面对电容器漏电和搅扰等物理约束。为此，三星、SK海力士等一向在开发图画化、资料和架构方面的颠覆性处理方案，HKMG(High-k/Metal Gate)则成为打破这一困局的处理方案。

Transistor Scaling(晶体管微缩)

另一方面，3D DRAM顺势成为了存储厂商火急想打破DRAM工艺更高极限的新途径。

三星电子和SK海力士等全球DRAM巨子正在加速推进3D DRAM的商用化。三星和SK海力士的高管在官方活动上曾表明，都将3D DRAM作为战胜DRAM物理极限的一种办法。三星表明，3D DRAM是半导体职业未来的添加动力；SK海力士则以为，大概在下一年，关于3D DRAM的电气特性细节将被揭露，然后决议其开展方向。

NAND：芯片堆叠层数之争

NAND闪存芯片是最首要的存储芯片，能够完结大容量存储、高写入和擦除速度，多运用于大容量数据存储，例如智能手机、平板电脑、U盘、固态硬盘等范畴。

2007年，跟着2D NAND到达规划极限，东芝首要提出了3D NAND结构概念。2013年三星则首要推出了“V-NAND”，也便是3D NAND。其间的V代表Vertical，笔直的意思，这是一种经过笔直堆叠3D空间中的穿孔衔接其单元层的处理方案，这种3D规划办法不只带来了技能功用的进步，并且还进一步操控了本钱。

三星首要将3D NAND闪存从技能概念面向了商业商场。

随后，V-NAND闪存不断开展，每一代新的V-NAND都带来了明显的功用进步，以及更低的功耗。2013年三星开发的*个V-NAND闪存仅有24层，现在三星的V-NAND现已开展到了第8代的236层。

上一年11月，三星宣告已开端量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb三级单元（TLC）第8代V-NAND，其I/O速度高达2.4 Gbps，比较上一代进步了1.2倍，这能够满意PCIe 4.0和更高版别PCIe 5.0的功用要求。三星第8代V-NAND层数到达了236层。

2023年头，三星还拟定了开发新一代3D NAND的方案：2024年推出的第九代3D NAND有望到达280层；第十代3D NAND有望越过300层的区间，到达430层，估量将于2025-2026年推出。此外，三星还方案到2030年推出逾越1000层的产品，以更好地支撑未来的数据密集型技能。

三星虽是NAND闪存技能的奠基者并在曩昔一向领导商场开展，但在200层以上的比赛上，SK海力士也体现不俗。

2018年11月，从第四代96层3D NAND开端，SK海力士推出了新的命名法——4D PUC（Periphery Under Cell），PUC是一种将外围电路从头定位到电池底部的技能，如下图所示。

比较3D办法，4D架构具有单元面积更小，出产功率更高的长处。为成功研制4D架构的芯片，SK海力士选用了电荷捕获型技能(CTF)和PUC技能，然后保证了本钱、功用、产品质量等层面的全球*比赛力。

4D NAND（图源：SK海力士）

98层之后，SK海力士连续开宣告128层、176层3D NAND。2022年8月，SK海力士宣告开宣告最新的238层4D NAND闪存，并已于本年6月开端投入量产。（4D NAND代表的是一种先进性，而不是指进入第四维度）

据介绍，SK海力士的238层NAND闪存成功仓库更高层数的一起，完结了业界最小的面积，出产功率比上一代的176层进步了34%。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb，声称比上一代的速度快50%，并且改进了约20%的读写功用。

在ISSCC 2023会议期间，SK海力士发布了在3D NAND闪存开发方面的最新打破，展现了其最新300层堆叠第8代3D NAND Flash的原型。

据SK海力士介绍，第8代3D NAND闪存首要运用了五个方面的技能，包含引进三重验编程（TPGM）功用，可缩小电池阈值电压散布，将tPROG削减10%，然后进步功用；自适应未选字符串预充电（AUSP），另一种将tPROG下降约2%的办法；编程虚拟串（PDS）技能，下降通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界限树立时刻；平面级读取重试（PLRR）功用，答应在不停止其他平面的状况下改动平面的读取等级，然后当即宣告后续读取指令，终究进步了服务质量和读取功用。

SK海力士没有供给第8代3D NAND闪存的时刻表，有职业人士估量，可能要比及2024年底或2025年某个时分才会上市。与此一起，SK海力士的第7代238层3D NAND闪存估量将被整合到2023年推出的新款闪存产品的出产周期里。

早在2019年，SK海力士就做出过斗胆假定，方案2025年推出500层堆叠产品，并在2032年完结800层以上。

自从NAND闪存进入3D年代，芯片的层数比拼一向是各大NAND闪存芯片厂商比赛的要点，仓库层数犹如摩天大楼相同越来越高。在3D NAND技能赛跑中，存储厂商从开端的24层、32层，一路堆到了128层、176层，直至200 层。层数越高，NAND闪存可具有的容量就越大，添加层数以及进步产值也是衡量技能实力的规范。

纵观当时全球的闪存格式，层数之争依旧是NAND闪存的主旋律。各大厂商纷繁采纳办法，为尽可能多的占领商场的进行扩产，正在往更多层数进行技能跨进。

虽然现在还无法猜测3D NAND最高可堆叠至多少层，不过跟着头部企业持续加大3D NAND闪存商场布局，推进技能立异和演进，3D NAND闪存仓库高度不断打破极限。

但需求着重的是，虽然3D NAND未来开展方向是仓库添加更多的层，但NAND层数的比赛将对制作工艺带来更大应战。正如三星高管所言，为了推进1000层的NAND技能，将面对安稳性问题，就像制作摩天大厦相同有必要考虑崩塌、曲折和开裂等要素。此外，他们还有必要处理衔接孔加工工艺、电池搅扰最小化、层高缩短以及每层贮存容量扩展等问题。

“根本盘”之外，比赛再现新高地

除了在DRAM和NAND上的比拼之外，韩国存储双雄在GDDR、LPDDR、HBM、PIM、UFS等细分赛道仍展现出新的比赛姿势。

GDDR：GDDR7，开释下一代显存潜力

GDDR（Graphics DDR），即图形DDR，它是为了规划高端显卡而特别规划的高功用DDR存储器规范，是打破“内存墙”的有用方案。

上一年，三星发布了为GPU和服务器开发GDDR7 DRAM的方案。近来，三星宣告已完结 GDDR7 DRAM芯片的开发，将有助于进步在需求超卓图形功用的范畴的用户体会，例如作业站、个人电脑和游戏机，并有望扩展到未来的运用范畴，如人工智能、高功用核算（HPC）和轿车车辆等。

据了解，三星的GDDR7 DRAM具有破纪录的1.5TBps带宽，比GDDR6 DRAM高出40%，能效也比GDDR6 DRAM芯片高出20%。得益于PAM3（脉冲幅度调制）信号办法的增强，它的每引脚速度为32Gbps，比上一代产品高出33%。

三星还为其新芯片供给了较低电压的挑选，为了削减热量发生，除了IC架构优化之外，三星还在封装中运用了具有高导热性的新式EMC资料。所有这些改进使其热阻下降了70%，然后供给了更安稳的产品，即便在高压力的操作条件下也能体现杰出。

三星的重要客户将于本年开端测验GDDR7 DRAM芯片进行验证。但因为没有来自JEDEC的硬性许诺，因而没有估量GDDR7发布的具体时刻表。鉴于现在有如此多的AI和HPC公司致力于带宽需求高的产品，其间一两家可能会更快发布依靠GDDR7显存的处理方案。但GDDR7的大规划选用估量会与AMD和NVIDIA的下一代图形卡的量产一起发生。

反观SK海力士，其近年来在GDDR闪存颗粒上的信息宣布并不多，而是更多在着重以根据GDDR为接口的DRAM存内核算产品GDDR6-AiM（PIM）及其优势，此部分放在下文做具体介绍。

HKMG技能赋能LPDDR

LPDDR指的是Low Power DDR，中文全称为低功耗双信道同步动态随机存取内存，通常以先进封装技能直接堆在CPU处理器上方，削减通道宽度以及其他一些献身部分反应时刻的办法来下降体积和功耗。因而，是移动运用场景的干流内存产品。

2022年10月，SK海力士宣告开端出售根据HKMG技能的全新1αnm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也完结了晶体管功用的明显进步。

SK海力士官宣LPDDR5X LPDDR开端出售

SK海力士的LPDDR5X DRAM是*在低功耗运用中运用HKMG成功批量出产的产品，经过大规范微缩，一起运用全新HKMG晶体管构建块的优势了，晶体管的功用取得明显进步；考虑到HKMG的固有特性和针对HKMG优化的规划方案，能够有用操控走漏电流，较之上一代产品速度进步33%，功耗下降25%。SK海力士的技能不只到达职业的方针规范，还因为*功耗而完结ESG价值*化。

选用HKMG的作用

凭仗HKMG，一层薄薄的高k薄膜可替代晶体管栅极中现有的SiON栅氧化层，以避免走漏电流和可靠性下降。此外，经过减小厚度，能够完结持续微缩，然后明显削减走漏，并改进根据多晶硅/SiON的晶体管的速度特性。

在SK海力士推出LPDDR5X后不久，三星电子也紧接着宣告称，其最新与移动处理器大厂高通协作的LPDDR5X DRAM，日前以8.5Gbps的业界最快速度经过了验证。

三星电子存储产品规划团队履行副总裁Daniel Lee表明，8.5Gbps LPDDR5X DRAM的联合验证，使咱们能够将这一高速存储介质的商场推广速度加速一年多，这是咱们与高通技能公司长时刻协作取得的巨大成就。

跟着LPDDR内存的运用规划不断扩展到智能手机以外的人工智能和数据中心运用，存储和SoC供货商之间的严密协作变得愈加重要。SK海力士和三星将持续活跃与职业立异者协作，以进步生态体系对未来LPDDR规范的预备程度。

存储双雄竞逐HBM

众所周知，因为处理器与存储器的工艺、封装和需求的不同，二者之间的功用距离越来越大。

存储器数据拜访速度跟不上处理器的数据处理速度，数据传输就像处在一个巨大的漏斗之中，不论处理器灌进去多少，存储器都只能“源源不断”。有数据闪现，处理器和存储器的速度失配以每年50%的速率添加。

两者之间数据交换通路窄以及由此引发的高能耗两大难题，在存储与运算之间筑起了一道“内存墙”。与此一起，跟着数据的爆破势添加，内存墙关于核算速度的影响益发闪现。

CPU与存储器开展趋势

为此，业界期望经过添加存储器带宽处理大数据年代下的“内存墙”问题，HBM便应运而生。

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一款新式的内存芯片，其实便是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，完结大容量、高位宽的DDR组合阵列，该技能能够说是DRAM从传统2D向立体3D开展的首要代表产品，敞开了DRAM 3D化路途。

HBM首要是经过硅通孔（TSV）技能进行芯片堆叠，以添加吞吐量并战胜单一封装内带宽的约束，将数个DRAM裸片笔直堆叠，裸片之间用TVS技能衔接。从技能视点看，HBM充分运用空间、缩小面积，正符合半导体职业小型化、集成化的开展趋势，并且打破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM处理方案。

裸片之间用TSV技能衔接

在内存范畴，三星和SK海力士环绕关于HBM的比赛已悄然打响。

自2014年*硅通孔HBM产品面世至今，HBM技能现已开展至第四代，别离是：HBM、HBM2、HBM2E、HBM3，HBM芯片容量从1GB晋级至24GB，带宽从128GB/s进步至819GB/s，数据传输速率也从1Gbps进步至6.4Gbps。

HBM功用演进(图源：Rambus)

与传统DRAM比较，HBM具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，能够加速AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高功用核算场景。据了解，在英伟达A100/H100等高端GPU中，HBM的浸透率挨近100%。

SK海力士是HBM商场的先行者，也是全面布局四代HBM的厂商。2014年，SK海力士与AMD联合开发*代硅通孔HBM产品；2018年SK海力士发布第二代HBM产品HBM2；随后2020年SK海力士发布第三代HBM——HBM2E，作为HBM2的扩展版别，功用与容量进一步进步；2021年10月SK海力士成功开宣告第四代产品HBM3，并于2022年6月开端量产。

SK海力士本年4月20日宣告，在全球初次完结笔直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开宣告最高容量24GB的HBM3 DRAM。该产品容量较上一代HBM3 DRAM进步50%。SK海力士已向客户供给样品，正承受客户公司的功用验证。

在AI商场夺得先机，是SK海力士如此火急地移风易俗的首要原因。值得注意的是，英伟达为SK海力士HBM产品的大客户，英伟达已将16GB HBM3 DRAM调配A100 GPU供ChatGPT运用，并已将SK海力士的第四代HBM装置至功用更强的H100 GPU上。SK海力士也依照英伟达的方案，在上一年添加了HBM3 DRAM的产值。

别的，值得重视的是，MR-MUF是SK海力士首要开发的技能，据了解现在只要SK海力士运用该技能出产HBM。

SK海力士在近期的投资者活动日中着重，他们已开宣告不同于比赛对手的封装技能（MR-MUF）并以长时刻*的办法从协作伙伴那里取得要害资料，以此保证了其技能优势。

MR-MUF封装是当半导体芯片附着到电路上并且芯片向上堆叠时，用一种称为环氧模塑料（EMC）的资料填充并附着芯片之间的空间的工艺。之前的比赛对手在此进程中运用了非导电膜 (NCF) 技能。MR-MUF封装对HBM芯片的外部结构有严重影响。SK 海力士在创立12层HBM3时，将一款产品中堆叠的DRAM数量从8个（16GB）添加到12个，然后将容量添加了约50%。

凭仗这项技能，SK海力士完结了24GB的*当时容量。SK海力士以为，MR-MUF封装技能将有用坚持其方案于下一年发布的第五代HBM3E的商场比赛力，逾越现在已量产的第四代产品HBM3。

跟着HBM3E需求的爆破性添加，产值明显添加。SK海力士决议运用最新的顶级10纳米级第五代 (1β) 技能大幅进步下一年的产值。大部分增量将由HBM3E填充。这表明SK海力士正在以HBM为首要事务战略，全力战胜半导体低迷。据悉，SK海力士约40%的经营赢利来自HBM。

三星也在活跃跟进，三星对HBM的布局从HBM2开端，现在，三星现已向客户供给了HBM2和HBM2E产品。2016年三星量产HBM2；2020年三星推出了HBM2。

在2022年技能发布会上发布的内存技能开展道路图中，三星展现了包含不同范畴的内存接口演进的速度。三星HBM3技能2022年现已量产，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达6.4Gbps，比较上一代进步1.8倍，然后完结单芯片接口带宽819GB/s

另据媒体报道，三星已于本年4月26日向韩国专利信息查找服务提交“Snowbolt”商标请求，预估该商标将于本年下半年运用于DRAM HBM3P产品。

估量三星HBM3P接口速度将高达7.2Gbps，数据传输率比较这一代进步10%，然后将堆叠的总带宽进步到5TB/s以上。HBM3P单芯片和堆叠芯片都将完结更多的总带宽进步，而这也将会成为人工智能运用的重要推进力，估量在2025年之后的新一代云端旗舰GPU中看到HBM3P的运用，然后进一步加强云端人工智能的算力。

集邦咨询数据闪现，2022年三大原厂HBM市占率别离为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%。

关于商场比例占比状况，三星电子担任半导体事务的DS部分总裁 Kyung Kye-hyun在7月份的职工内部交流活动上表明，“三星HBM产品的商场比例仍逾越50%”，他批驳了有关该公司内存比赛力正在下降的忧虑。

无论怎样，跟着高功用存储半导体商场有望快速添加，HBM相关商场估量每年添加40%以上，三星电子和SK海力士之间的HBM产品开发比赛仍在升温。

有关HBM未来潜力与演进方向的更多剖析内容，在此不过多赘述，有爱好的读者可查阅笔者此前文章《》。

PIM，打破芯片“内存墙”

如果是HBM是经过添加存储器带宽来处理大数据年代下的“内存墙”问题。那么，存算一体（PIM）便是另一种处理“存储墙”与“功耗墙”问题的技能途径。

存算一体，又称存内核算，是一项打破传统冯诺依曼架构的新式运算架构，经过将存储和核算有机结合，直接运用存储单元进行核算，极大地消除了数据搬移带来的开支，处理了传统芯片在运转人工智能算法上的“存储墙”与“功耗墙”问题，能够数十倍乃至百倍地进步人工智能运算功率，下降本钱。

存算一体概念图

跟着AI的开展数据量暴增，存储墙、功耗墙成为越来越不容忽视的问题，存内核算已然成为新趋势。

对此，SK海力士开宣告了公司*根据PIM技能的产品——GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，内存加速器）的样本。GDDR6-AiM是将核算功用添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM比较，将GDDR6-AiM与CPU、GPU相结合的体系可在特定核算环境中将演算速度进步至最高16倍。

AiM存内加速器方案（图源：SK海力士）

此外，GDDR6-AiM的作业电压为1.25V，低于GDDR6内存的规范作业电压（1.35V）。不只如此，PIM的运用还削减了与CPU、GPU的数据传输来往，然后下降了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗下降80%。GDDR6-AiM有望在机器学习、高功用核算、大数据核算和存储等范畴有广泛运用。

SK海力士AiM的另一大优势在于他们现已完结了全套软件栈，包含设备驱动、runtime库、结构和运用等，也支撑AiM软件仿真器，支撑用户自行开发AI运用，而无需硬件评价板。

其实三星在PIM上也早有布局，早在2021年头推出HBM2E后，三星就现已开端规划怎么充分运用这些高带宽内存的功用，其间之一便是PIM。

与SK海力士不同的是，三星打造的*PIM为HBM-PIM，在内存中心中了集成了名为可编程核算单元的AI引擎，用于处理一部分的逻辑功用。经过测验，HBM-PIM可推升2.5倍体系效能，且下降逾60%的能耗。

三星表明，HBM-PIM测验成果展现出巨大的商业潜力，跟着技能开展规范化，技能运用将进一步扩展规划，并延伸至新代代电脑，AI运用HBM3、智能终端移动存储及数据中心存储模组。

除了这种将PIM集成到商用AI加速器的方案以外，三星也一起推出了直接将PIM集成到DRAM模块中的方案AXDIMM，经过直接在DRAM模块中对多组内存芯片进行并行运算，削减了CPU和DRAM之间的很多数据移动。

此外，三星还在研讨根据MRAM的PIM技能，众所周知，MRAM比DRAM的速度更快，并且运转时更省电。三星在2022年1月12日在*期刊nature宣布了题为”crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computin”的论文，完结了在MRAM上的存内核算

从三星半导体的PIM技能展现也来看，他们也方案将这一技能运用到GDDR和LPDDR中，不过这几年间的首要技能揭露展现都会集在HBM-PIM上。

写在最终

虽然半导体工业开展暂时进入“隆冬”，但从韩国存储双雄的动态和布局来看，存储赛道上的技能比赛依旧十分激烈。

无论是第五代10nm级DRAM技能，仍是更高层数堆叠的NAND Flash，以及HBM、PIM等立异技能，存储大厂都在活跃发力，以坚持商场*位置，并满意商场对高容量、高功用产品需求，呈现出持续开展的潜能。

与此一起，在杂乱的世界贸易关系布景下，三星电子和SK海力士这两家韩国存储巨子，或许还将添补美光被禁后呈现的商场空缺，进一步吃到商场盈利，逐步摆开与比赛对手的身位。